成都鑫南光机械设备有限公司带您了解四川光刻机的*新进展。

在光刻技术和微电子设备的发展过程中，二者是共生、依存的关系，二者的发展进步都离不开对方的演变。在上世纪**台光刻机问世后，光刻技术一直都在以惊人的速度发展，我国的光刻技术发展成果也非常显著，已经可以熟练掌握2μm、1μm、0.5μm、0.25μm 等不同要求的光刻技术，并着重研发了1μm 光刻技术，且取得了较大成就。当然，在光刻技术发展的过程中，微电子设备的发展也在不断进行着。世界上**个半导体晶体管同样诞生于上个世纪，到目前为止，半导体晶体管的发展已经经历了半个多世纪的时间，加工尺寸越来越小。

四川光刻机在经历了半个世纪左右的发展后，光刻技术已经基本成熟，其理论依据、技术能力已经到达了一定的瓶颈。从光刻技术的发展历程来看，随着光刻手段的不断更新，光刻技术能够完成的尺寸越来越小，但是这种光刻技术的发展不会让其能够完成的尺寸无限小下去，根据相关科研人员和业内人士的观点，光刻技术的完成尺寸瓶颈将会是50nm，50nm 可以说是在目前的光刻原理下光刻技术所能完成的极限尺寸，小于50nm 的光刻尺寸光刻技术将很难能够完成。也许当光刻技术到达50nm后，由于其工作能力无法和微电子设备的发展相匹配而会滋生出新兴的技术来取代光刻技术，但是为目前为止，人类的光刻技术还未能达到50nm，而且，在未来几年之内，人类的光刻技术也*多只能到达70nm，要达到50nm的光刻标准， ] 2[光刻技术还将经历一段较长的发展历程。

据科研人员描述，70nm光刻技术已 经具有相当的难度，包含了多种高科技的光刻手段，而光刻技术要想超越50nm的瓶颈，必须采用跨越式的光刻技术，这将是未来人类光刻技术发展的一大目标

相信四川光刻机未来的发展会越来越好的。